SI 2304DDS-T1-GE3 *NMOS - VISHAY (SILICONIX) - SI2304DDS-T1-GE3

SI 2304DDS-T1-GE3 *NMOS
A kép csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Gyártó: VISHAY (SILICONIX)
Cikkszám 63-01-09
Terméknév: SI 2304DDS-T1-GE3 *NMOS
Leírás: MOSFET, 30 V 3.6 A 1.7 W Rds=0.06Ohm SMD SOT-23
Ársáv:
Mennyiség [db] Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 188,03 238,80
100+ 117,32 149,00
Megrendelés
Min. mennyiség: 1 db
Készleten: 2244 db

Specifikáció

Cikkcsoport:
MOSFET
ROHS:
Igen
Alkatrész család:
MOSFET, N-MOS
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
SOT-23
Tokozás (JEDEC):
-
Kivitel:
felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
3
Gyártói jelölés:
P4
Drain-Source feszültség Uds [V]:
30 V
Drain áram Id [A] @ 25°C:
3.6 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.06 Ohm @ 3.2 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
2.2 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
20 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
75 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
235 pF
Maximális disszipáció Ptot [W]:
1.7 W
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+150 °C

Termék összehasonlítása

Nincs termék kiválasztva.

Utoljára megtekintett termékek