Ismerje meg kínálatunkból a miniatűr felületszerelt SO8-as tokozású N+N és N+P csatornás MOSFET-eket, amelyek ideálisak hídáramkörök és teljesítmény meghajtók megvalósítására.
A diszkrét félvezetők családjában a MOSFET-ek alkalmazása elektronikus kapcsoló áramkörökben teljesen kiszorította a bipoláris tranzisztorokat. Szinte minden egyenáram kapcsolására szánt félvezető kapcsoló áramkörben teljesítmény MOSFET-eket találunk. Ez alól a magas feszültségen történő teljesítmény kapcsolás a kivétel, ahol IGBT-k alkalmazása célszerű.
A rendkívül széles kínálatból az egy tokban két MOSFET-et tartalmazó miniatűr, felületszerelt tokozású áramkörökből szemezgetünk. Ezek ideálisak hídáramkörök, push-pull típusú teljesítmény meghajtók megvalósítására mint pl. különféle motor vezérlések. Az áramkörök N+N csatornás, illetve N+P csatornás konfigurációban is megtalálhatók. A MOSFET-ek standard felületszerelt SO8-as tokozásban, gépi beültetésre alkalmas csomagolásban, csőben és tekercsen is rendelkezésre állnak.
A felsorolt áramkörökön felül cégünknél a furatszerelt, illetve felületszerelt teljesítmény MOSFET-ek széles választékát kínáljuk partnereinknek, raktárról. A kínálatunkban különbőző gyártóktól (ONSEMI, INFINEON, VISHAY, stb.) közel 500 féle teljesítmény MOSFET található, különböző tokozásban, áram terhelhetőséggel, feszültség adatokkal stb.
Cikkszám | Típus |
---|---|
63-00-91 | FDS 6900AS *NMOS+NMOS, 30 V 8.2+6.9A, 2W Rds=0.036+0.038Ω, SO8 |
25-05-47 | IRF 7313PBF *NMOS+NMOS, 30 V 6.5 A 2 W Rds=0.046Ω, SO8 |
25-06-43 | IRF 7317PBF *NMOS+PMOS, 30/-30 V 5.3/-4.3 A, 1.3 W Rds=0.028/0.058Ω, SO8 |
25-05-49 | IRF 7342PBF *PMOS+PMOS, 55 V 3.4 A 2.0 W Rds=0.17Ω, SO8 |
63-00-85 | IRF 7343PBF *NMOS+PMOS, 55 V 3.8/2.7 A 1.3W Rds=0.05/0.105Ω, SO8 |
25-05-25 | IRF 7389PBF *NMOS+PMOS, 30 V 5.9 A + 4.2 A 1.6 W Rds=0.05/0.1Ω, SO8 |
25-05-53 | IRF 9952PBF *NMOS+PMOS, 30 V 3.5 A + 2.3 A 2.0 W Rds=0.15/0.4Ω, SO8 |
25-05-43 | IRF 9952QPBF *NMOS+PMOS, 30 V 3.5 A + 2.3 A 2 W Rds=0.15/0.4Ω, SO8 |
63-01-25 | Si 4532CDY-T1-GE3 *NMOS+PMOS, 30 V 5.2/3.4 A 2.7W Rds=65/140mΩ, SO8 |
63-00-77 | Si 4559EY-E3 *NMOS+PMOS, 60 V 3.9/2.8 A 2.4W Rds=55/120mΩ, SO8 |