A forradalmian új F-RAM technológiával készült memóriák ideális eszközök a mikroprocesszorok mellé a működés közbeni és tápfeszültség megszűnése utáni adatok tárolására.
A mikroprocesszort vagy mikrovezérlőt tartalmazó készülékeknél sok esetben nélkülözhetetlen, hogy a készülék, berendezés kikapcsolása után tároljuk a konfigurációs vagy egyéb adatokat. Erre a célra EEPROM-, Flash- vagy elemmel kiegészített Statikus RAM-ot alkalmazunk. Az EEPROM és a Flash memória nem igényel háttér elemet, de az adatok beírása visszaolvasása (EEPROM), törlése (Flash) időigényes. Az SRAM mellé viszont háttér elem kell, ami helyigényes.
A forradalmian új F-RAM technológiával készült memóriák kiküszöbölik a fenti megoldások hátrányait, ezért ideális eszközök mikroprocesszorok mellé működés közben és tápfeszültség megszűnése után adatok tárolására. Ezzel a technológiával készült chipek felépítése a DRAM-hoz hasonló, viszont ferroelektromos anyagot tartalmaznak és ezen anyagok nemlineáris tulajdonságát használják ki egy bit tárolására. A memória tartalma megőrződik a tápfeszültség megszűnése után.
Az F-RAM egyesíti az EEPROM, Flash és SRAM memóriák jó tulajdonságait és kiküszöböli azok hátrányait.
Cégünk folyamatosan bővülő memória IC-kínálatában megtalálhatók az új technológiával készült F-RAM memóriák típusai.
Véletlenszerű hozzáférés (random-access), mint a hagyományos statikus RAM esetén
Byte hozzáférés ideje hasonló mint SRAM esetén, nem szükséges várakozási idő (lásd. EEPROM)
Írási/olvasási ciklusa gyakorlatilag korlátlan (kb. 10e12/byte)
Adat tárolási idő minimum 10 év/85°C
Nem igényel törlést mint a Flash-memória
Nem felejtő memória (non-volatile), külső elemet nem igényel
Alacsony aktív áramfelvétel (5 mA/33 MHz SPI órajel)
Ultra alacsony standby-áram kb. 9µA
Standard tápfeszültség tartomány 2,7V..3,6V
Szabványos soros, SPI-interfész (25/33 MHz), I²C
Felületszerelt SO8 tokozás
Ipari hőtartományra -40..+85°C