0
Bruttó:
0.00 HUF
Nettó:
0.00 HUF
FONTOS ÜZENET

Tájékoztatjuk kedves vásárlóinkat, hogy

2024. május 20-a pünkösdhétfő munkaszüneti nap,
ezért ezen a napon minden egységünk

ZÁRVA

A május 17-én pénteken feladott csomagok május 21-én kedden kerülnek kiszállításra.

FONTOS ÜZENET

Tájékoztatjuk kedves vásárlóinkat, hogy

2024. május 20-a pünkösdhétfő munkaszüneti nap,
ezért ezen a napon minden egységünk

ZÁRVA

A május 17-én pénteken feladott csomagok május 21-én kedden kerülnek kiszállításra.

IXTN 21N100 *NMOS - IXYS - IXTN21N100

IXTN 21N100 *NMOS
A kép csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Gyártó: IXYS
Cikkszám 25-02-96
Terméknév: IXTN 21N100 *NMOS
Leírás: MOSFET, 1000 V 21 A 520 W Rdson=0.55Ohm SOT-227B (ISOTOP)
Letölthető fájlok
92808.pdf ROHS_IXYS.pdf
Ársáv:
Mennyiség [db] Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 0,00 0,00
Megrendelés
Min. mennyiség: 1 db
Készleten: 0 db

Specifikáció

Cikkcsoport:
MOSFET
ROHS:
Igen
Alkatrész család:
MOSFET, N-MOS
Tokozás típus:
Szerelhető
Tokozás:
SOT-227B (ISOTOP)
Tokozás (JEDEC):
-
Kivitel:
furatszerelt
Kivezetések száma:
3
Gyártói jelölés:
IXTN21N100
Drain-Source feszültség Uds [V]:
1 kV
Drain áram Id [A] @ 25°C:
21 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.55 Ohm @ 10.5 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
4.5 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
30 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
100 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
8400 pF
Maximális disszipáció Ptot [W]:
520 W
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+150 °C

Termék összehasonlítása

Nincs termék kiválasztva.

Utoljára megtekintett termékek