APT50GP60B2DQ2G *N-IGBT+Dióda - MICROSEMI - APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B2DQ2G *N-IGBT+Dióda
A kép csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Gyártó: MICROSEMI
Cikkszám 81-01-14
Terméknév: APT50GP60B2DQ2G *N-IGBT+Dióda
Leírás: IGBT, 600 V 150 A Ip= 190 A 625 W Vce(on)=2.1V TO-247
Letölthető fájlok
APT50GP60B2DQ2_A.pdf
Ársáv:
Mennyiség [db] Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 0,00 0,00
Megrendelés
Min. mennyiség: 1 db
Készleten: 0 db

Specifikáció

Cikkcsoport:
IGBT
ROHS:
Igen
Alkatrész család:
IGBT inverz diódával
Tokozás típus:
NYÁK-ba ültethető
Tokozás:
TO-247AC
Tokozás (JEDEC):
TO-247AC
Kivitel:
furatszerelt
Kivezetések száma:
3
Gyártói jelölés:
-
Kollektor-Emitter feszültség Uce [V]:
600 V
Kollektor áram Ic [A]:
150 A
Kollektor csúcsáram Ip [A]:
190 A
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
19 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
115 ns
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
4.5 V
Maximális disszipáció Ptot [W]:
625 W
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+150 °C

Termék összehasonlítása

Nincs termék kiválasztva.

Utoljára megtekintett termékek