TSM 048NB06LCR RLG *NMOS - TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM048NB06LCR RLG

TSM 048NB06LCR RLG *NMOS
A kép csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Gyártó: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Cikkszám 25-07-53
Terméknév: TSM 048NB06LCR RLG *NMOS
Leírás: MOSFET, 60 V 107 A 136 W SMD 4.8 mOhm PDFN56
Ársáv:
Mennyiség [db] Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 1 132,91 1 438,80
Megrendelés
Min. mennyiség: 1 db
Készleten: 50 db

Specifikáció

Cikkcsoport:
MOSFET
ROHS:
Igen
Alkatrész család:
MOSFET, N-MOS
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
PDFN56
Tokozás (JEDEC):
-
Kivitel:
Felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
8
Gyártói jelölés:
-
Drain-Source feszültség Uds [V]:
60 V
Drain áram Id [A] @ 25°C:
107 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.0048 Ohm @ 16 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
2.5 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
4 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
78 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
6253 pF
Maximális disszipáció Ptot [W]:
136 W
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+175 °C

Termék összehasonlítása

Nincs termék kiválasztva.

Utoljára megtekintett termékek