0
Bruttó:
0.00 HUF
Nettó:
0.00 HUF
TSM 110NB04DCR RLG *NMOS - TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04DCR RLG
A kép csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Gyártó: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Cikkszám 25-07-58
Terméknév: TSM 110NB04DCR RLG *NMOS
Leírás: MOSFET, Dual 40 V 48 A 48 W SMD 11 mOhm PDFN56
Letölthető fájlok
TSM110NB04DCR_A1908.pdf
Ársáv:
| Mennyiség [db] | Nettó [HUF] | Bruttó [HUF] |
|---|---|---|
| 1+ | 0,00 | 0,00 |
Megrendelés
Min. mennyiség: 1 db
Készleten: 0 db
Specifikáció
Cikkcsoport:
MOSFET
ROHS:
Igen
Alkatrész család:
MOSFET, 2 x N-MOS
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
PDFN56
Tokozás (JEDEC):
-
Kivitel:
Felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
8
Gyártói jelölés:
-
Drain-Source feszültség Uds [V]:
40 V
Drain áram Id [A] @ 25°C:
48 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.011 Ohm @ 12 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
4 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
7 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
15 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
1506 pF
Maximális disszipáció Ptot [W]:
48 W
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+175 °C
Termék összehasonlítása
Nincs termék kiválasztva.
Utoljára megtekintett termékek
Bármilyen észrevétele van honlapunkkal kapcsolatban, kérjük írja meg nekünk! Amennyiben üzenetére választ, vagy segítséget vár, kérjük adja meg az email címét is! Köszönjük.
Kártyás fizetés szolgáltatója:
Elfogadott kártyák:
