0
Bruttó:
0.00 HUF
Nettó:
0.00 HUF
FONTOS ÜZENET

Tájékoztatjuk kedves vásárlóinkat,

hogy elindult új weblapunk a

shop.ret.hu

---------------------------------------------------------

Kedves Vásárlóink!

Tájékoztatjuk Önöket, hogy 

augusztus 20-i héten (augusztus 18-24.) minden egységünk zárva tart.

Az utolsó csomagok pénteken, augusztus 15-én kerülnek postázásra. Ezt követően a következő postázási időpont: augusztus 25. (hétfő)

 

Megértésüket köszönjük!

FONTOS ÜZENET

Tájékoztatjuk kedves vásárlóinkat,

hogy elindult új weblapunk a

shop.ret.hu

---------------------------------------------------------

Kedves Vásárlóink!

Tájékoztatjuk Önöket, hogy 

augusztus 20-i héten (augusztus 18-24.) minden egységünk zárva tart.

Az utolsó csomagok pénteken, augusztus 15-én kerülnek postázásra. Ezt követően a következő postázási időpont: augusztus 25. (hétfő)

 

Megértésüket köszönjük!

TSM 130NB06CR RLG *NMOS - TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM130NB06CR RLG

TSM 130NB06CR RLG *NMOS
A kép csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Gyártó: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Cikkszám 25-07-61
Terméknév: TSM 130NB06CR RLG *NMOS
Leírás: MOSFET, 60 V 51 A 83 W SMD 13 mOhm PDFN56
Ársáv:
Mennyiség [db] Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 0,00 0,00
Megrendelés
Min. mennyiség: 1 db
Készleten: 0 db

Specifikáció

Cikkcsoport:
MOSFET
ROHS:
Igen
Alkatrész család:
MOSFET, N-MOS
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
PDFN56
Tokozás (JEDEC):
-
Kivitel:
Felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
8
Gyártói jelölés:
-
Drain-Source feszültség Uds [V]:
60 V
Drain áram Id [A] @ 25°C:
51 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.013 Ohm @ 10 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
4 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
3 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
17 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
2380 pF
Maximális disszipáció Ptot [W]:
83 W
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+175 °C

Termék összehasonlítása

Nincs termék kiválasztva.

Utoljára megtekintett termékek