0
Bruttó:
0.00 HUF
Nettó:
0.00 HUF
FONTOS ÜZENET

Tájékoztatjuk kedves vásárlóinkat,

hogy elindult új weblapunk a

shop.ret.hu

FONTOS ÜZENET

Tájékoztatjuk kedves vásárlóinkat,

hogy elindult új weblapunk a

shop.ret.hu

SI 2306BDS-T1-E3 *NMOS - VISHAY (SILICONIX) - SI2306BDS-T1-E3

SI 2306BDS-T1-E3 *NMOS
A kép csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Gyártó: VISHAY (SILICONIX)
Cikkszám 63-00-97
Terméknév: SI 2306BDS-T1-E3 *NMOS
Leírás: MOSFET, 30 V 3.5 A 0.8 W Rds=0.057Ohm SMD SOT-23
Ársáv:
Mennyiség [db] Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 188,03 238,80
100+ 129,91 164,99
Megrendelés
Min. mennyiség: 1 db
Készleten: 6229 db

Specifikáció

Cikkcsoport:
MOSFET
ROHS:
Igen
Alkatrész család:
MOSFET, N-MOS
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
SOT-23
Tokozás (JEDEC):
-
Kivitel:
felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
3
Gyártói jelölés:
L6
Drain-Source feszültség Uds [V]:
30 V
Drain áram Id [A] @ 25°C:
3.5 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.057 Ohm @ 2.8 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
3 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
11 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
25 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
305 pF
Maximális disszipáció Ptot [W]:
0.8 W
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+150 °C