SI 2309CDS-T1-GE3 *PMOS - VISHAY (SILICONIX) - SI2309CDS-T1-GE3

SI 2309CDS-T1-GE3 *PMOS
A kép csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Gyártó: VISHAY (SILICONIX)
Cikkszám 63-01-02
Terméknév: SI 2309CDS-T1-GE3 *PMOS
Leírás: MOSFET, 60 V 1.2 A 1.0 W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23
Ársáv:
Mennyiség [db] Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 188,03 238,80
100+ 117,32 149,00
Megrendelés
Min. mennyiség: 1 db
Készleten: 6051 db

Specifikáció

Cikkcsoport:
MOSFET
ROHS:
Igen
Alkatrész család:
MOSFET, P-MOS
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
SOT-23
Tokozás (JEDEC):
MS-012
Kivitel:
felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
3
Gyártói jelölés:
N9
Drain-Source feszültség Uds [V]:
-60 V
Drain áram Id [A] @ 25°C:
-1.2 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.34 Ohm @ -1.25 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
-3 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
60 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
25 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
210 pF
Maximális disszipáció Ptot [W]:
1.7 W
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+150 °C

Termék összehasonlítása

Nincs termék kiválasztva.

Utoljára megtekintett termékek