0
Bruttó:
0.00 HUF
Nettó:
0.00 HUF
FONTOS ÜZENET

Tájékoztatjuk kedves vásárlóinkat, hogy
szegedi üzletünk 2025. április 29. keddi
és 
április 30. szerdai napokon
technikai okok miatt ZÁRVA tart.


További információ: +36 62 554-600
A csomagküldésünk ezeken a napokon is zavartalanul működik!


------------------------------------------------------------

Tájékoztatjuk kedves vásárlóinkat,
hogy a 2025. május 1. csütörtöki és
május 2. pénteki napokon
minden egységünk ZÁRVA tart.

Az április 30-án, szerdán feladott csomagok május 5-én hétfőn kerülnek kézbesítésre.

FONTOS ÜZENET

Tájékoztatjuk kedves vásárlóinkat, hogy
szegedi üzletünk 2025. április 29. keddi
és 
április 30. szerdai napokon
technikai okok miatt ZÁRVA tart.


További információ: +36 62 554-600
A csomagküldésünk ezeken a napokon is zavartalanul működik!


------------------------------------------------------------

Tájékoztatjuk kedves vásárlóinkat,
hogy a 2025. május 1. csütörtöki és
május 2. pénteki napokon
minden egységünk ZÁRVA tart.

Az április 30-án, szerdán feladott csomagok május 5-én hétfőn kerülnek kézbesítésre.

Si 4559EY-E3 *NMOS+PMOS - VISHAY (SILICONIX) - SI4559EY-E3

Si 4559EY-E3 *NMOS+PMOS
A kép csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Gyártó: VISHAY (SILICONIX)
Cikkszám 63-00-77
Terméknév: Si 4559EY-E3 *NMOS+PMOS
Leírás: MOSFET, 60 V Dual 3.9/2.8 A 2.4W Rds=55/120mOhm SMD SO8
Ársáv:
Mennyiség [db] Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 212,59 269,99
25+ 165,34 209,98
Megrendelés
Min. mennyiség: 1 db
Készleten: 147 db

Specifikáció

Cikkcsoport:
MOSFET
ROHS:
Igen
Alkatrész család:
MOSFET, N-MOS, P-MOS
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
SO8
Tokozás (JEDEC):
MS-012
Kivitel:
felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
8
Gyártói jelölés:
SI4559EY
Drain-Source feszültség Uds [V]:
60 V/-60 V
Drain áram Id [A] @ 25°C:
4.5 A/-3.1 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.055 Ohm/0.075 Ohm @ 4.5/-3.9 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
4.5 V/-4.5 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
13 ns/8 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
36/12 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
1000 pF
Maximális disszipáció Ptot [W]:
2.4 W
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+175 °C