0
Bruttó:
0.00 HUF
Nettó:
0.00 HUF
FONTOS ÜZENET

Tájékoztatjuk kedves vásárlóinkat, hogy

2024. május 20-a pünkösdhétfő munkaszüneti nap,
ezért ezen a napon minden egységünk

ZÁRVA

A május 17-én pénteken feladott csomagok május 21-én kedden kerülnek kiszállításra.

FONTOS ÜZENET

Tájékoztatjuk kedves vásárlóinkat, hogy

2024. május 20-a pünkösdhétfő munkaszüneti nap,
ezért ezen a napon minden egységünk

ZÁRVA

A május 17-én pénteken feladott csomagok május 21-én kedden kerülnek kiszállításra.

Si 4946EY-T1-E3 *2xNMOS - VISHAY (SILICONIX) - SI4946EY-T1-E3

Si 4946EY-T1-E3 *2xNMOS
A kép csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Gyártó: VISHAY (SILICONIX)
Cikkszám 25-04-49
Terméknév: Si 4946EY-T1-E3 *2xNMOS
Leírás: MOSFET, 60 V Dual 4.5 A 2.4 W Rdson=0.055Ohm SMD SO8
Ársáv:
Mennyiség [db] Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 282,52 358,80
50+ 178,74 227,00
Megrendelés
Min. mennyiség: 1 db
Készleten: 379 db

Specifikáció

Cikkcsoport:
MOSFET
ROHS:
Igen
Alkatrész család:
MOSFET, N-MOS
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
SO8
Tokozás (JEDEC):
MS-012
Kivitel:
felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
8
Gyártói jelölés:
SI4946EY-T1-E3
Drain-Source feszültség Uds [V]:
60 V
Drain áram Id [A] @ 25°C:
4.5 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.055 Ohm @ 4.5 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
3 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
20 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
60 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
1000 pF
Maximális disszipáció Ptot [W]:
2.4 W
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+175 °C

Hasonló termékek

Kép
Termék leírása
Raktáron
Si 4946BEY-T1-E3 *2xNMOS - VISHAY (SILICONIX)
Leírás: MOSFET, 60 V Dual 5.5 A 2.6 W Rdson=0.052Ohm SMD SO8
Cikkszám: 25-04-57
Mennyiség Nettó [HUF] Leírás
1+ 0,00 0,00
Készleten: 0 db

Termék összehasonlítása

Nincs termék kiválasztva.

Utoljára megtekintett termékek