Si 4532ADY-T1-E3 *NMOS+PMOS - VISHAY (SILICONIX) - SI4532ADY-T1-E3

Si 4532ADY-T1-E3 *NMOS+PMOS
A kép csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Gyártó: VISHAY (SILICONIX)
Cikkszám 63-00-88
Terméknév: Si 4532ADY-T1-E3 *NMOS+PMOS
Leírás: MOSFET, 30 V Dual 3.7/3.0 A 2.3W Rds=53/80mOhm SMD SO8
Ársáv:
Mennyiség [db] Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 227,72 289,20
25+ 188,98 240,00
Megrendelés
Min. mennyiség: 1 db
Készleten: 1858 db

Specifikáció

Cikkcsoport:
MOSFET
ROHS:
Igen
Alkatrész család:
MOSFET, N-MOS, P-MOS
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
SO8
Tokozás (JEDEC):
MS-012
Kivitel:
Felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
8
Gyártói jelölés:
SI4532ADY-T1-E3
Drain-Source feszültség Uds [V]:
30 V/-30 V
Drain áram Id [A] @ 25°C:
3.7 A/-3 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.053 Ohm/0.08 Ohm @ 4.9/-3.9 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
4.5 V/-4.5 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
12 ns/8 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
23/21 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
500 pF
Maximális disszipáció Ptot [W]:
1.13 W
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+150 °C

Hasonló termékek

Kép
Termék leírása
Raktáron
Si 4532CDY-T1-GE3 *NMOS+PMOS - VISHAY
Leírás: MOSFET, 30 V Dual 5.2/3.4 A 2.7W Rds=65/140mOhm SMD SO8
Cikkszám: 63-01-25
Mennyiség Nettó [HUF] Leírás
1+ 207,87 263,99
100+ 137,80 175,01
Készleten: 1338 db

Termék összehasonlítása

Nincs termék kiválasztva.

Utoljára megtekintett termékek