0
Bruttó:
0.00 HUF
Nettó:
0.00 HUF
Si 4532CDY-T1-GE3 *NMOS+PMOS - VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3
A kép csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Gyártó: VISHAY
Cikkszám 63-01-25
Terméknév: Si 4532CDY-T1-GE3 *NMOS+PMOS
Leírás: MOSFET, 30 V Dual 5.2/3.4 A 2.7W Rds=65/140mOhm SMD SO8
Letölthető fájlok
si4532cd.pdf
Ársáv:
| Mennyiség [db] | Nettó [HUF] | Bruttó [HUF] |
|---|---|---|
| 1+ | 207,87 | 263,99 |
| 100+ | 137,80 | 175,01 |
Specifikáció
Cikkcsoport:
MOSFET
ROHS:
Igen
Alkatrész család:
MOSFET, N-MOS, P-MOS
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
SO8
Tokozás (JEDEC):
-
Kivitel:
Felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
8
Gyártói jelölés:
SI4532CDY-T1-E3
Drain-Source feszültség Uds [V]:
30 V/-30 V
Drain áram Id [A] @ 25°C:
5.2 A/-3.4 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.065 Ohm/0.14 Ohm @ 5.2/-3.4 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
4.5 V/-4.5 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
11 ns/10 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
25/30 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
305/340 pF
Maximális disszipáció Ptot [W]:
1.14 W
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+150 °C
Hasonló termékek
Kép
Termék leírása
Raktáron
Si 4532ADY-T1-E3 *NMOS+PMOS - VISHAY (SILICONIX)
Leírás: MOSFET, 30 V Dual 3.7/3.0 A 2.3W Rds=53/80mOhm SMD SO8
Cikkszám: 63-00-88
| Mennyiség | Nettó [HUF] | Leírás |
|---|---|---|
| 1+ | 227,72 | 289,20 |
| 25+ | 188,98 | 240,00 |
Készleten: 1789 db
Termék összehasonlítása
Nincs termék kiválasztva.
Utoljára megtekintett termékek
Bármilyen észrevétele van honlapunkkal kapcsolatban, kérjük írja meg nekünk! Amennyiben üzenetére választ, vagy segítséget vár, kérjük adja meg az email címét is! Köszönjük.
Kártyás fizetés szolgáltatója:
Elfogadott kártyák:
