0
Bruttó:
0.00 HUF
Nettó:
0.00 HUF
FONTOS ÜZENET

Tájékoztatjuk kedves vásárlóinkat, hogy

2024. május 20-a pünkösdhétfő munkaszüneti nap,
ezért ezen a napon minden egységünk

ZÁRVA

A május 17-én pénteken feladott csomagok május 21-én kedden kerülnek kiszállításra.

FONTOS ÜZENET

Tájékoztatjuk kedves vásárlóinkat, hogy

2024. május 20-a pünkösdhétfő munkaszüneti nap,
ezért ezen a napon minden egységünk

ZÁRVA

A május 17-én pénteken feladott csomagok május 21-én kedden kerülnek kiszállításra.

SI 2309DS-T1-E3 *PMOS - VISHAY (TEMIC) - SI2309DS-T1-E3

SI 2309DS-T1-E3 *PMOS
A kép csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Gyártó: VISHAY (TEMIC)
Cikkszám 44-01-15
Terméknév: SI 2309DS-T1-E3 *PMOS
Leírás: MOSFET, 60 V 1.25 A 0.8 W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23
Ársáv:
Mennyiség [db] Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 0,00 0,00
Megrendelés
Min. mennyiség: 1 db
Készleten: 0 db

Specifikáció

Cikkcsoport:
MOSFET
ROHS:
Igen
Alkatrész család:
MOSFET, P-MOS
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
SOT-23
Tokozás (JEDEC):
-
Kivitel:
felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
3
Gyártói jelölés:
A9
Drain-Source feszültség Uds [V]:
-60 V
Drain áram Id [A] @ 25°C:
-1.25 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.34 Ohm @ -1.25 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
-3.5 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
20 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
30 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
400 pF
Maximális disszipáció Ptot [W]:
0.8 W
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+150 °C

Hasonló termékek

Kép
Termék leírása
Raktáron
SI 2309CDS-T1-GE3 *PMOS - VISHAY (SILICONIX)
Leírás: MOSFET, 60 V 1.2 A 1.0 W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23
Cikkszám: 63-01-02
Mennyiség Nettó [HUF] Leírás
1+ 188,03 238,80
100+ 117,32 149,00
Készleten: 6126 db

Termék összehasonlítása

Nincs termék kiválasztva.

Utoljára megtekintett termékek