0
Bruttó:
0.00 HUF
Nettó:
0.00 HUF
Találat 로데오13 kulcsszóra a MOSFET kategóriában - Vissza
- 로데오13
Kép
Termék leírása
Raktáron
Cikkcsoport:
ROHS:
Alkatrész család:
Tokozás típus:
Tokozás:
Tokozás (JEDEC):
Kivitel:
Kivezetések száma:
Gyártói jelölés:
Drain-Source feszültség Uds [V]:
Drain áram Id [A] @ 25°C:
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
Gate kapacitás Ciss [pF]:
Maximális disszipáció Ptot [W]:
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
IXFH 13N80 *NMOS - IXYS
Leírás: MOSFET, 800 V 13 A 300 W Rdson=0.8Ohm TO-247AD
Cikkszám: 25-05-06
| Mennyiség | Nettó [HUF] | Bruttó [HUF] |
|---|---|---|
| 1+ | 6 613,27 | 8 398,85 |
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 33 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS
NYÁK-ba ültethető
TO-247AD
-
Furatszerelt
3
IXFH13N80
800 V
13 A
0.8 Ohm @ 6.5 A
4.5 V
20 ns
63 ns
4200 pF
300 W
-55 °C
+150 °C
IXFH 13N50 *NMOS - IXYS
Leírás: MOSFET, 500 V 13 A 300 W Rdson=0.4Ohm TO-247AD
Cikkszám: 25-05-09
| Mennyiség | Nettó [HUF] | Bruttó [HUF] |
|---|---|---|
| 1+ | 0,00 | 0,00 |
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 0 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS
NYÁK-ba ültethető
TO-247AD
-
Furatszerelt
3
IXFH13N50
500 V
13 A
0.4 Ohm @ 13 A
4 V
18 ns
76 ns
2800 pF
180 W
-55 °C
+150 °C
TSM 130NB06CR RLG *NMOS - TAIWAN SEMICONDUCTOR
Leírás: MOSFET, 60 V 51 A 83 W SMD 13 mOhm PDFN56
Cikkszám: 25-07-61
| Mennyiség | Nettó [HUF] | Bruttó [HUF] |
|---|---|---|
| 1+ | 0,00 | 0,00 |
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 0 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS
NYÁK-ra ültethető (SMD)
PDFN56
-
Felületszerelt (SMD)
8
-
60 V
51 A
0.013 Ohm @ 10 A
4 V
3 ns
17 ns
2380 pF
83 W
-55 °C
+175 °C
TSM 130NB06LCR RLG *NMOS - TAIWAN SEMICONDUCTOR
Leírás: MOSFET, 60 V 51 A 83 W SMD 13 mOhm PDFN56
Cikkszám: 25-07-62
| Mennyiség | Nettó [HUF] | Bruttó [HUF] |
|---|---|---|
| 1+ | 0,00 | 0,00 |
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 0 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS
NYÁK-ra ültethető (SMD)
PDFN56
-
Felületszerelt (SMD)
8
-
60 V
51 A
0.013 Ohm @ 10 A
2.5 V
2 ns
23 ns
2175 pF
83 W
-55 °C
+175 °C
TSM 8568CSRLG *NMOS+PMOS - TAIWAN SEMICONDUCTOR
Leírás: MOSFET, 30 V 15 A + 13 A 1.3 W Rds=0.016/0.024Ohm SMD SO8
Cikkszám: 25-07-05
| Mennyiség | Nettó [HUF] | Bruttó [HUF] |
|---|---|---|
| 1+ | 0,00 | 0,00 |
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 0 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS, P-MOS
NYÁK-ra ültethető (SMD)
SO8
-
Felületszerelt (SMD)
8
TSM8568
30 V/-30 V
15 A/-13 A
0.016 Ohm/0.024 Ohm @ 8 A/-7 A
2.5 V/-2.5 V
5.4 ns/6.2 ns
18/45 ns
646/1089 pF
1.2 W
-55 °C
+150 °C
FDS 6670A *NMOS - ONSEMI (FAIRCHILD)
Leírás: MOSFET, 30 V 13 A Logic-level 2.5 W Rds=0.014 Ohm SMD SO8
Cikkszám: 25-04-90
| Mennyiség | Nettó [HUF] | Bruttó [HUF] |
|---|---|---|
| 1+ | 471,51 | 598,82 |
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 69 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS
NYÁK-ra ültethető (SMD)
SO8
-
felületszerelt (SMD)
8
FDS6670A
30 V
13 A
0.014 Ohm @ 13 A
3 V
19 ns
64 ns
2220 pF
2.5 W
-55 °C
+150 °C
BTS 410E2 *NMOS - INFINEON
Leírás: MOSFET, 50 V 13 A 36W PROFET Rds=0.22Ohm TO-220/5
Cikkszám: 25-06-13
| Mennyiség | Nettó [HUF] | Bruttó [HUF] |
|---|---|---|
| 1+ | 0,00 | 0,00 |
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS
NYÁK-ba ültethető
TO-220/5
-
Furatszerelt
5
BTS410E2
42 V
5 A
0.22 Ohm @ 1.6 A
2.4 V
125 µs
85 µs
-
50 W
-40 °C
+150 °C
BTS 410E2E3062A *NMOS - INFINEON
Leírás: MOSFET, 50 V 13 A 36W PROFET Rds=0.22Ohm SMD TO-263/5
Cikkszám: 25-06-87
| Mennyiség | Nettó [HUF] | Bruttó [HUF] |
|---|---|---|
| 1+ | 1 416,37 | 1 798,79 |
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 100 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS
NYÁK-ra ültethető (SMD)
TO-263/5
-
Felületszerelt (SMD)
5
BTS410E2
42 V
5 A
0.22 Ohm @ 1.6 A
2.4 V
125 µs
85 µs
-
50 W
-40 °C
+150 °C
Bármilyen észrevétele van honlapunkkal kapcsolatban, kérjük írja meg nekünk! Amennyiben üzenetére választ, vagy segítséget vár, kérjük adja meg az email címét is! Köszönjük.
Kártyás fizetés szolgáltatója:
Elfogadott kártyák:
