Kategóriák
Aktív alkatrészek, integrált áramkörök, modulok
Csatlakozók, foglalatok

Találat siliconix kulcsszóra a MOSFET kategóriában - Vissza

  • siliconix
33 termék találat
termék / oldal
Rendezés ár szerint
Kép
Termék leírása
Raktáron
Cikkcsoport:
ROHS:
Alkatrész család:
Tokozás típus:
Tokozás:
Tokozás (JEDEC):
Kivitel:
Kivezetések száma:
Gyártói jelölés:
Drain-Source feszültség Uds [V]:
Drain áram Id [A] @ 25°C:
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
Gate kapacitás Ciss [pF]:
Maximális disszipáció Ptot [W]:
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
SUP 75N06-08 *NMOS - SILICONIX
Leírás: MOSFET, 60 V 75 A 187 W Rdson=0.008Ohm TO-220AB
Cikkszám: 25-00-71
Mennyiség Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 0,00 0,00
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 0 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS
NYÁK-ba ültethető
TO-220AB
-
furatszerelt
3
SUP75N06-08-E3
60 V
75 A
0.007 Ohm @ 30 A
4 V
20 ns
65 ns
4800 pF
187 W
-55 °C
+175 °C
SUP 75N03-04 *NMOS - SILICONIX
Leírás: MOSFET, 30 V 75 A 187 W Rdson=0.004Ohm TO-220AB
Cikkszám: 25-01-24
Mennyiség Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 755,90 959,99
10+ 574,80 730,00
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 118 db
MOSFET
Nem
MOSFET, N-MOS
NYÁK-ba ültethető
TO-220AB
-
furatszerelt
3
SUP75N03-04
30 V
75 A
0.004 Ohm @ 75 A
3 V
20 ns
190 ns
10742 pF
187 W
-55 °C
+175 °C
Si 4559EY-E3 *NMOS+PMOS - VISHAY (SILICONIX)
Leírás: MOSFET, 60 V Dual 3.9/2.8 A 2.4W Rds=55/120mOhm SMD SO8
Cikkszám: 63-00-77
Mennyiség Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 212,59 269,99
25+ 165,34 209,98
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 147 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS, P-MOS
NYÁK-ra ültethető (SMD)
SO8
MS-012
felületszerelt (SMD)
8
SI4559EY
60 V/-60 V
4.5 A/-3.1 A
0.055 Ohm/0.075 Ohm @ 4.5/-3.9 A
4.5 V/-4.5 V
13 ns/8 ns
36/12 ns
1000 pF
2.4 W
-55 °C
+175 °C
Si 4532ADY-T1-E3 *NMOS+PMOS - VISHAY (SILICONIX)
Leírás: MOSFET, 30 V Dual 3.7/3.0 A 2.3W Rds=53/80mOhm SMD SO8
Cikkszám: 63-00-88
Mennyiség Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 227,72 289,20
25+ 188,98 240,00
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 1858 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS, P-MOS
NYÁK-ra ültethető (SMD)
SO8
MS-012
Felületszerelt (SMD)
8
SI4532ADY-T1-E3
30 V/-30 V
3.7 A/-3 A
0.053 Ohm/0.08 Ohm @ 4.9/-3.9 A
4.5 V/-4.5 V
12 ns/8 ns
23/21 ns
500 pF
1.13 W
-55 °C
+150 °C
Si 9953DY *2xPMOS - VISHAY (SILICONIX)
Leírás: MOSFET, 20 V Dual 2.3 A 2 W SMD SO8
Cikkszám: 25-02-28
Mennyiség Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 78,00 99,06
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 34 db
MOSFET
Nem
MOSFET, P-MOS
NYÁK-ra ültethető (SMD)
SO8
MS-012
felületszerelt (SMD)
8
SI9953DY
-20 V
-2.3 A
0.25 Ohm @ 1 A
-4.5 V
40 ns
90 ns
500 pF
2 W
-55 °C
+150 °C
Si 9948AEY-T1-E3 *2xPMOS - VISHAY (SILICONIX)
Leírás: MOSFET, 60 V Dual 2.6 A 2.4 W SMD SO8-Reel
Cikkszám: 25-03-63
Mennyiség Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 0,00 0,00
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 0 db
MOSFET
Igen
MOSFET, P-MOS
NYÁK-ra ültethető (SMD)
SO8
MS-012
felületszerelt (SMD)
8
SI9948AEY-T1-E3
-60 V
-2.6 A
0.17 Ohm @ -2.6 A
-3 V
20 ns
40 ns
800 pF
2.4 W
-55 °C
+175 °C
IRF 830PBF *NMOS - VISHAY (SILICONIX)
Leírás: MOSFET, 500 V 4.5 A 75 W Rdson=1.5Ohm TO-220AB
Cikkszám: 25-04-32
Mennyiség Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 282,52 358,80
10+ 216,53 274,99
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 680 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS
NYÁK-ba ültethető
TO-220AB
-
furatszerelt
3
IRF830PBF
500 V
4.5 A
1.5 Ohm @ 2.7 A
4 V
8.2 ns
42 ns
610 pF
75 W
-55 °C
+150 °C
Si 4946EY-T1-E3 *2xNMOS - VISHAY (SILICONIX)
Leírás: MOSFET, 60 V Dual 4.5 A 2.4 W Rdson=0.055Ohm SMD SO8
Cikkszám: 25-04-49
Mennyiség Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 282,52 358,80
50+ 178,74 227,00
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 379 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS
NYÁK-ra ültethető (SMD)
SO8
MS-012
felületszerelt (SMD)
8
SI4946EY-T1-E3
60 V
4.5 A
0.055 Ohm @ 4.5 A
3 V
20 ns
60 ns
1000 pF
2.4 W
-55 °C
+175 °C
Si 9410BDY-E3 *NMOS - VISHAY (SILICONIX)
Leírás: MOSFET, 30 V 6.2 A 1.5 W Rdson=0.024Ohm SMD SO8
Cikkszám: 25-04-54
Mennyiség Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 102,05 129,60
100+ 82,68 105,00
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 2358 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS
NYÁK-ra ültethető (SMD)
SO8
TO-263AB
felületszerelt (SMD)
8
SI9410BDY-E3
30 V
6.2 A
0.024 Ohm @ 8.1 A
3 V
15 ns
45 ns
1000 pF
1.5 W
-55 °C
+150 °C
Si 4431BDY-T1-E3 *PMOS - VISHAY (SILICONIX)
Leírás: MOSFET, 30 V 5.7 A 1.5 W Rdson=0.03Ohm SMD SO8
Cikkszám: 25-04-56
Mennyiség Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 277,80 352,81
100+ 204,71 259,98
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 20609 db
MOSFET
Igen
MOSFET, P-MOS
NYÁK-ra ültethető (SMD)
SO8
MS-012
felületszerelt (SMD)
8
SI4431BDY-T1-E3
-30 V
-5.7 A
0.03 Ohm @ -7.5 A
-3 V
20 ns
110 ns
1600 pF
1.5 W
-55 °C
+150 °C
Si 4946BEY-T1-E3 *2xNMOS - VISHAY (SILICONIX)
Leírás: MOSFET, 60 V Dual 5.5 A 2.6 W Rdson=0.052Ohm SMD SO8
Cikkszám: 25-04-57
Mennyiség Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 0,00 0,00
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 0 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS
NYÁK-ra ültethető (SMD)
SO8
MS-012
felületszerelt (SMD)
8
SI4946BEY-T1-E3
60 V
5.5 A
0.052 Ohm @ 4.7 A
3 V
30 ns
30 ns
840 pF
2.6 W
-55 °C
+175 °C
Si 4410BDY-E3 *NMOS - VISHAY (SILICONIX)
Leírás: MOSFET, 30 V 7.5 A 1.4 W Rdson=0.0135Ohm SMD SO8
Cikkszám: 25-04-93
Mennyiség Nettó [HUF] Bruttó [HUF]
1+ 168,19 213,60
Minimum mennyiség:
1
Készleten: 14 db
MOSFET
Igen
MOSFET, N-MOS
NYÁK-ra ültethető (SMD)
SO8
MS-012
felületszerelt (SMD)
8
SI4410BDY
30 V
7.5 A
0.0135 Ohm @ 10 A
3 V
10 ns
40 ns
2000 pF
1.4 W
-55 °C
+150 °C